?隨著飛躍科技公司招聘廣告的投放范圍的不斷擴(kuò)大、某某某獲得什么待遇消息的放出，本港許多原本看不上公司開出待遇的技術(shù)專家們也紛紛心動(dòng)了，甚至就連大學(xué)里的教授，也有幾位前來(lái)應(yīng)聘，公司趁機(jī)一舉招攬了幾十名各個(gè)領(lǐng)域內(nèi)的高水平技術(shù)人才。

    同時(shí)，一些原本在海外其他國(guó)家但是有到香港發(fā)展意愿的技術(shù)專家，也向招聘組打來(lái)了電話，商談面試事宜，并且這個(gè)人數(shù)在一天一天的增加，以至于兩個(gè)星期之后，本特利和希利斯不得不再?gòu)目偛砍檎{(diào)人員充當(dāng)面試官的角色。

    至于抽調(diào)人員會(huì)不會(huì)對(duì)原本的項(xiàng)目研究進(jìn)展產(chǎn)生影響，這個(gè)暫時(shí)也顧不上了，只要經(jīng)歷了這段時(shí)間的陣痛，在這些高技術(shù)人才的推動(dòng)下，公司接下來(lái)一定會(huì)迎來(lái)高速發(fā)展時(shí)期。

    不過(guò)好好過(guò)了一把面試官癮的姚飛此時(shí)已經(jīng)踏在了硅谷這片神奇的土地上了。

    “科爾，五分鐘后準(zhǔn)備開爐……”

    飛越科技新建的單晶硅實(shí)驗(yàn)室內(nèi)，布雷迪和姚飛并排而立，實(shí)驗(yàn)室制取單晶硅此時(shí)已經(jīng)到了降溫減壓準(zhǔn)備出爐階段，建立單晶硅實(shí)驗(yàn)室第一階段的努力成果，馬上即將要揭曉。

    “波特，控制住爐壓，科爾開爐之前要靠太近，小心主爐打開的瞬間向外噴射的殘留熱氣，等爐內(nèi)熱氣散盡再取出硅晶棒，明白了嗎？”

    一切重新開始，之前的幾名助手在日本電氣公司的重金許諾繼續(xù)留在了原來(lái)的研究中心，而實(shí)驗(yàn)室這些人基本都是布雷迪新招過(guò)來(lái)了，第一次見識(shí)單晶硅開爐，哪怕是實(shí)驗(yàn)室級(jí)別的，肯定會(huì)有有些壓不住自己的好奇之心，所以他得出聲提醒。

    “明白，教授……”

    聽著布雷迪教授的話，波特謹(jǐn)慎的往一邊遠(yuǎn)離了幾步，但是其注視的神情還是掩不住他心中的好奇。

    “開爐！”

    五分鐘時(shí)間一過(guò)，布雷迪十分干脆的指揮開爐，隨后波特便按下了紅色開爐按鈕，爐門是自動(dòng)打開的，這個(gè)只需要安裝一個(gè)控制器就行了，和智能沒半毛錢關(guān)系的。

    隨著一聲清脆的“啪”聲響起，一道轉(zhuǎn)瞬即逝的白煙從爐內(nèi)向四周噴出，這是高壓熱氣與空氣中的水分子相互作用產(chǎn)生的水蒸氣。

    又繼續(xù)等了兩三分鐘，波特才戴上了耐高溫手套，然后從程筒狀的爐室內(nèi)取出一根表面呈黑亮光彩的棒狀物體，這就是單晶硅棒了。

    不過(guò)單晶硅的本色是銀灰色，由于晶向一致，呈玻璃狀，因此看上去就象是黑色一樣。

    剛剛生產(chǎn)出的單晶硅棒是不可以直接進(jìn)行后續(xù)加工的，還需要進(jìn)行一系列的檢測(cè)，通過(guò)化學(xué)腐蝕及測(cè)試儀器對(duì)其進(jìn)行檢驗(yàn)和測(cè)量。

    檢測(cè)的過(guò)程也是包含很多細(xì)項(xiàng)，具體的有晶向、導(dǎo)電類型、摻雜、少子壽命、電阻率范圍、電阻率均勻性、氧含量、碳含量、直徑、長(zhǎng)度、端面平興度、端面彎曲度、位錯(cuò)密度以及裂紋硬傷等。

    除開直徑長(zhǎng)度這兩項(xiàng)，其他都必須等到檢測(cè)合格并達(dá)到規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)后，才能進(jìn)行下一步的切片加工。

    這么多項(xiàng)的檢測(cè)項(xiàng)目并沒有花費(fèi)多長(zhǎng)時(shí)間，因?yàn)橛袑ｉT的單晶硅棒檢測(cè)設(shè)備對(duì)其檢測(cè)。

    出來(lái)的測(cè)試報(bào)告首先交給了布雷迪，看到出來(lái)的檢測(cè)數(shù)據(jù)之后其臉上原本嚴(yán)肅的表情滿滿有了些許笑容，但是沒過(guò)一會(huì)兒便又變得嚴(yán)肅起來(lái)。

    姚飛接過(guò)報(bào)告，看過(guò)之后他就明白了，原來(lái)氧的含量還是大大的超標(biāo)了，現(xiàn)在的純度也只達(dá)到99.57%，距離可用的99.9%貌似還有很大的一段差距，千萬(wàn)不要小看這0.42%的純度差距，利用這兩種純度生產(chǎn)出來(lái)的產(chǎn)品絕對(duì)是一個(gè)天上一個(gè)地上。

    要是繼續(xù)依靠傳統(tǒng)的老辦法進(jìn)行不斷的改進(jìn)，姚飛估計(jì)得需要相當(dāng)一段長(zhǎng)時(shí)間了，哪怕是有他的不斷參與，估計(jì)也得話費(fèi)一兩年的時(shí)間，而這時(shí)間，姚飛完全耗不起。

    “教授，你們已經(jīng)非常成功了，接下來(lái)如果我們想要在短時(shí)間內(nèi)制造出符合標(biāo)準(zhǔn)的硅晶棒，恐怕得開始嘗試使用磁控直拉技術(shù)，對(duì)于這項(xiàng)技術(shù)，我個(gè)人建議可以先從橫向磁場(chǎng)開始實(shí)驗(yàn)……”

    短短的時(shí)間之內(nèi)布雷迪就將實(shí)驗(yàn)室重新建立起來(lái)，并順利開爐純度還有所提高，雖然這是實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，但不可否認(rèn)這都是其能力的體現(xiàn)。

    “沒問題，馬上對(duì)生長(zhǎng)爐進(jìn)行改裝，制造磁場(chǎng)……”

    由于此前對(duì)于磁場(chǎng)對(duì)熔體施加的力值姚飛已經(jīng)說(shuō)明，所以磁體的大小也是事先已經(jīng)準(zhǔn)備完畢，只要測(cè)量好位置，然后安裝就行。

    當(dāng)然，這也只能說(shuō)理論上是正確安裝了，但是要想達(dá)到理想效果還是要根據(jù)后續(xù)在生長(zhǎng)中熔體受力狀況不斷的進(jìn)行微調(diào)整。

    磁體的安裝速度很快，也就是在爐室壁外側(cè)兩面加裝兩塊電磁體就可以了，這樣通電的時(shí)候可以控制電流的強(qiáng)弱制造不同強(qiáng)度的磁場(chǎng)。

    生長(zhǎng)爐經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的徹底冷卻下來(lái)，取出已經(jīng)使用過(guò)的報(bào)廢石英坩堝，再換上新的坩堝，封閉爐門。

    經(jīng)過(guò)抽真空、撿漏以及爐壓控制步驟之后，新一輪的填料便能得以繼續(xù)進(jìn)行了。

    磁控直拉生長(zhǎng)技術(shù)和直拉生長(zhǎng)技術(shù)的操作步驟是相同的，之前看到了他們對(duì)于生長(zhǎng)爐的操控，姚飛沒什么不放心的。

    “教授，關(guān)于磁場(chǎng)對(duì)于熔體運(yùn)動(dòng)影響的問題我想你們可以在以后的單晶硅實(shí)際生長(zhǎng)中將各種數(shù)據(jù)慢慢比對(duì)，然后選用最佳位置制造最佳磁場(chǎng)。

    現(xiàn)在我認(rèn)為我們可以加快進(jìn)程了，為了能早日制備出用于集成電路制造的標(biāo)準(zhǔn)級(jí)別的硅單晶，我認(rèn)為我們應(yīng)該將其他不同的技術(shù)結(jié)合起來(lái)一起使用……”

    事情確實(shí)需要一步一步的來(lái)，但是有了姚飛這個(gè)BUG，再應(yīng)用另一種新技術(shù)，完全沒什么大不了的。

    “姚先生，你的意思是，使用區(qū)熔法技術(shù)？可是現(xiàn)在我們連技術(shù)圖紙都沒有，更別說(shuō)進(jìn)行改造了……”

    區(qū)熔法，這種技術(shù)他已經(jīng)聽姚飛說(shuō)過(guò)很多次了，原本以為還需要過(guò)一段時(shí)間等他們制造出99.9%的硅晶棒才可以用到，但是他完全沒想到姚飛使用的這么急切！

    他們完全可以通過(guò)一次次開爐收集數(shù)據(jù)，然后進(jìn)行對(duì)比分析，雖然會(huì)多花費(fèi)一些時(shí)間、一些投入資金，但是這樣一來(lái)完全可以減少許多技術(shù)浪費(fèi)，而在布雷迪這樣的專家眼里，每一種技術(shù)都非常珍貴，容不得絲毫浪費(fèi)。

    “圖紙，這個(gè)很簡(jiǎn)單，一會(huì)我就可以畫給你，至于怎么改裝，這個(gè)還是得靠教授你來(lái)想辦法了，我會(huì)詳細(xì)的向你解釋區(qū)熔法的原理，以及它每一個(gè)部件的詳細(xì)功能，一些不同的操作步驟也會(huì)向你仔細(xì)說(shuō)明……”

    對(duì)于布雷迪的說(shuō)法姚飛不置可否，徑直走到辦公桌邊，拿起紙筆、尺子，姚飛便開始了區(qū)熔法生長(zhǎng)爐圖紙的繪制工作。

    首先是起穩(wěn)定作用的底座，底座內(nèi)裝有坩堝上升旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，接著是主熔室，上下爐壁內(nèi)使用真空泵抽真空。

    外壁層向里，之后分別是絕緣層、加熱組件、石墨坩堝，在爐室的另一側(cè)配置直徑控制傳感器，頸口部位使用隔離閥確保單晶硅生長(zhǎng)時(shí)爐內(nèi)氣體外泄。

    外延煙囪狀部位內(nèi)有引導(dǎo)籽晶的吊繩，以及惰性氣體氬氣的進(jìn)氣口。最上方使用上升旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)封口。

    最后，配上集合控制各個(gè)部位操作的控制系統(tǒng)，這樣立式懸浮區(qū)熔法的圖紙就算是繪制完畢了。

    “教授，這就是大致的垂直區(qū)熔法設(shè)備的圖紙了，值得注意的是，區(qū)熔法和直拉法的加熱方式是有很大區(qū)別的，直拉法采用的是電阻加熱直接將固體多晶硅加熱成熔融狀態(tài)從而進(jìn)行生長(zhǎng)。

    而區(qū)熔法是利用電子轟擊、高頻感應(yīng)或者是光學(xué)聚焦法將一段多晶硅區(qū)域融化，使液體靠表面張力支持而不墜落，然后靠移動(dòng)多晶硅或者加熱器使熔區(qū)移動(dòng)。

    這種方法不使用石英坩堝，能避免坩堝污染，由于雜質(zhì)分凝和蒸發(fā)效應(yīng)，可以生長(zhǎng)出高電阻率硅單晶！”

    貪多嚼不爛，至于更加先進(jìn)的分室區(qū)熔技術(shù)，還是等下一階段的試驗(yàn)成果出來(lái)再說(shuō)吧，姚飛心里如是想到，如果要是此刻布雷迪知道姚飛心里的想法，估計(jì)得破口大罵，你丫的腦子里到底有多少新技術(shù)，難道就不能一口氣說(shuō)完，害他到現(xiàn)在一直像個(gè)吝嗇的管家一樣，滿腦子里想著的都是怎么將每一種技術(shù)的潛力挖到極致……